Η συσκευή Α είναι συνδεδεμένη αποκλειστικά με άμεση
γείωση (ΤΤ) αντίστασης RS. H συσκευή Β είναι συνδεδεμένη σε ουδετερογειωμένο
σύστημα (TN) με αντίσταση γείωσης RB.
Αν RB > RS και ένας αγωγός φάσης ακουμπήσει το κέλυφος της συσκευής Α, οδηγώντας το ρεύμα σφάλματος στη Γη μέσω της Rs, αυτό το υψηλό ρεύμα σφάλματος θα περάσει αναγκαστικά, μέσω Γης, και από την RB μέχρι να φτάσει στον ουδέτερο κόμβο του μετασχηματιστή.
Αυτό θα έχει ως συνέπεια την, υψηλότερη από το αναμενόμενο, ανύψωση της τάσης του ουδετέρου και του αγωγού PE του TN συστήματος, για όσο διαρκεί το σφάλμα.
Κατά την διάρκεια του σφάλματος, ακόμα κι αν η τάση επαφής UA στο κέλυφος της Α συσκευής είναι κάτω των 50V, αφού RB >> RS τότε η αντίστοιχη τάση UB στο κέλυφος της συσκευής Β (και στο κέλυφος όλων των άλλων ουδετερογειωμένων συσκευών του συστήματος) θα είναι μεγαλύτερη (από την UA).
Όμως, όταν όλες οι διαφορετικές γειώσεις
είναι συνδεδεμένες ισοδυναμικά (σύνδεση σε ισοδυναμική μπάρα και όχι διάσπαρτα
μέσω των αγωγών PE της εγκατάστασης), το όποιο ρεύμα σφάλματος σε ένα σύστημα
ΤΝ, θα προτιμήσει την οδό απ' ευθείας προς τον ουδέτερο του υποσταθμού. Τώρα πια
η διάφορα μεταξύ RB και RS δεν προκαλεί πρόβλημα αφού είναι παράλληλα
συνδεδεμένες και δρουν συμπληρωματικά η μια προς την άλλη για την συνολική
γείωση του συστήματος.
Άρα συνολικά θα έχουμε:
